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一种富含钒空穴的三氧化二钒纳米材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110333299.2
  • IPC分类号:C01G31/02;H01M4/48;H01M10/36;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2021-03-29
  • 申请人:
    中国科学技术大学
著录项信息
专利名称一种富含钒空穴的三氧化二钒纳米材料的制备方法
申请号CN202110333299.2申请日期2021-03-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-09公开/公告号CN113087018A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G31/02IPC分类号C;0;1;G;3;1;/;0;2;;;H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;1;0;/;3;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学技术大学申请人地址
安徽省合肥市包河区金寨路96号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学技术大学当前权利人中国科学技术大学
发明人宋礼;朱可夫;魏世强;陈双明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人吴梦圆
摘要
本发明公开了一种富含钒空穴的三氧化二钒纳米材料的制备方法,该制备方法包括:将乙酰丙酮钒氧和碳酰胺溶于乙二醇中,得到第一混合溶液;向第一混合溶液中加入过氧化氢溶液,得到第二混合溶液;第二混合溶液进行水热反应,反应预设时间后,经离心、干燥,在预设温度条件下烧结,得到富含钒空穴的三氧化二钒纳米材料。

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