一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010709445.2
IPC分类号：H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18
申请日期：
2020-07-22
申请人：
深圳大学

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专利名称	一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法
申请号	CN202010709445.2	申请日期	2020-07-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-20	公开/公告号	CN111799342A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0328 除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L 31/0272至H01L 31/032组中两组或更多个组的半导体材料〔5〕 H01L31/0336 在不同半导体区域的，如Cu2X/CdX异质结，X为周期表中的Ⅵ族元素〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	深圳大学	申请人地址	广东省深圳市南山区南海大道3688号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳大学	当前权利人	深圳大学
发明人	李煜;晏雨发;张晗;李峰
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	徐凯凯

摘要

本发明涉及一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法，其中，所述基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器包括设置在衬底上的p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜不重叠的两端分别固定有一金属电极。本发明通过构建pn异质结，使p型硒化亚锡薄膜与n型硒化铟薄膜在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，明显提高所制备的光电探测器的光增益、光响应速度及光响应度。

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