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具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110474799.8
  • IPC分类号:H01L33/44;H01L33/00
  • 申请日期:
    2021-04-29
  • 申请人:
    华灿光电(浙江)有限公司
著录项信息
专利名称具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法
申请号CN202110474799.8申请日期2021-04-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-17公开/公告号CN113410361A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/44IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人华灿光电(浙江)有限公司申请人地址
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华灿光电(浙江)有限公司当前权利人华灿光电(浙江)有限公司
发明人兰叶;吴志浩;王江波;陶羽宇
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司代理人吕耀萍
摘要
本发明公开了具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在复合保护层上的同时,斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上,则斥水膜层直接覆盖了复合保护层的第一通孔与第二通孔,与n电极及p电极之间的间隙,将间隙与外界进行隔绝,避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部,可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响,延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在复合保护层的表面,也可以减小水汽通过复合保护层进入芯片内部的可能,也可以一定程度上延长复合保护层本身的使用寿命,也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。

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