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薄膜晶体管及其制造方法、器件、显示基板及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910464787.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/41
  • 申请日期:
    2019-05-30
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及其制造方法、器件、显示基板及装置
申请号CN201910464787.X申请日期2019-05-30
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2019-08-20公开/公告号CN110148623A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
发明人王博;李付强
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司代理人杨广宇
摘要
本申请公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、器件、显示基板及装置,属于半导体技术领域。薄膜晶体管(01)的有源层(012)包括:依次排布的源区(0121)、沟道区(0122)和漏区(0123)。源区(012)包括掺杂有第一离子的多晶硅,沟道区(0122)包括掺杂有第二离子的多晶硅,漏区(0123)包括掺杂有第三离子的多晶硅。其中,第一离子和第三离子均为P型离子,且第二离子为N型离子;或者,第一离子和第三离子均为N型离子,且第二离子为P型离子。本申请降低了薄膜晶体管的漏电流,提高了显示装置的显示效果。

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