绝缘栅双极晶体管及其制作方法、IPM模块、以及空调器

发明专利有效专利

申请号：
CN201710873507.1
IPC分类号：H01L29/739;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/331;H01L21/265
申请日期：
2017-09-22
申请人：
广东美的制冷设备有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	绝缘栅双极晶体管及其制作方法、IPM模块、以及空调器
申请号	CN201710873507.1	申请日期	2017-09-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-06	公开/公告号	CN107768433A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/739 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/739 受场效应控制的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	广东美的制冷设备有限公司	申请人地址	广东省佛山市顺德区北滘镇美的大道6号美的总部大楼B区26-28楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东美的制冷设备有限公司	当前权利人	广东美的制冷设备有限公司
发明人	甘弟;冯宇翔
代理机构	深圳市世纪恒程知识产权代理事务所	代理人	胡海国

摘要

本发明公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块、空调器以及一种绝缘栅双极晶体管的制作方法。其中所述绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向依次形成有集电极区、漂移区及有源区；所述集电极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；所述第一掺杂区域的掺杂浓度高于第二掺杂区域的掺杂浓度；且所述第二掺杂区域的体积是第一掺杂区域的体积的9倍～30倍。本方案中，设置所述集电极区的掺杂浓度不均匀，其中第一掺杂区域能够提高集电极区空穴注入的效率，而且能增加漂移区电子与空穴复合的速度，低掺杂区域的存在，使得集电极区的整体掺杂浓度不会很高，因此本发明技术方案能够同时降低所述绝缘栅双极晶体管的导通压降和关断时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供