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一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210204463.0
IPC分类号：H01L21/66
申请日期：
2012-06-20
申请人：
上海华力微电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法
申请号	CN201210204463.0	申请日期	2012-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-10	公开/公告号	CN102723294A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	倪棋梁;陈宏璘;王洲男;龙吟;郭明升
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法。本发明提出一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，通过在多晶硅栅极和有源区上设置等距等孔径的接触孔，并通过电子显微镜进行检测，得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布图，从而更好的控制工艺的质量。

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