一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120037788.9
IPC分类号：G01R33/12
申请日期：
2021-01-07
申请人：
清华大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置
申请号	CN202120037788.9	申请日期	2021-01-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/12 测量物品的磁性或者固体或流体样品的磁性（涉及磁共振的入G01R 33/20）〔4〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	曾嵘;周文鹏;余占清;赵彪;吴锦鹏;陈政宇
代理机构	北京知联天下知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张迎新;史光伟

摘要

本实用新型提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供