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形成FinFET装置上的替代栅极结构及鳍片的方法以及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201410645145.7
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/28
申请日期：
2014-11-12
申请人：
格罗方德半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成FinFET装置上的替代栅极结构及鳍片的方法以及装置
申请号	CN201410645145.7	申请日期	2014-11-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-20	公开/公告号	CN104637819A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	格罗方德半导体公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司	当前权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人	谢瑞龙;A·P·雅各布
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明涉及形成FinFET装置上的替代栅极结构及鳍片的方法以及装置，揭露的一种方法包括：除其它以外，移除牺牲栅极结构以定义替代栅极开口；通过该替代栅极开口执行蚀刻制程，以通过将该替代栅极开口内暴露的图案化硬掩膜用作蚀刻掩膜而在半导体材料层中定义鳍片结构；以及围绕该鳍片结构的至少部分在该替代栅极开口中形成替代栅极结构。

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