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电容结构的制作方法以及电容结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710386699.3
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2017-05-26
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称电容结构的制作方法以及电容结构
申请号CN201710386699.3申请日期2017-05-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-07公开/公告号CN108962818A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人韦亚婷;许亮;宋春
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明公开了一种电容结构的制作方法以及电容结构,本发明通过形成第一导电层;在第一导电层的表面自下至上依次形成刻蚀阻挡层和层间介质层;刻蚀层间介质层及刻蚀阻挡层,形成第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽暴露出刻蚀阻挡层,第二凹槽暴露出第一导电层;在第一凹槽中形成第一导电插塞,在第二凹槽中形成第二导电插塞。这样,就形成了包括第一导电层、刻蚀阻挡层、第一导电插塞和第二导电插塞的电容结构。本发明的电容结构的制作方法工艺流程简单,降低生产成本;而且,可以防止金属互连层在进行化学机械研磨工艺中出现金属残留的现象,能够克服金属互连层中出现桥接的缺陷,提高半导体器件的产品性能。

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