用于MEMS器件的CMOS封盖

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专利名称	用于MEMS器件的CMOS封盖
申请号	CN202110236891.0	申请日期	2021-03-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113086938A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	迈瑞迪创新科技有限公司	申请人地址	新加坡创业道2号愿景交流大厦11-08号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	迈瑞迪创新科技有限公司	当前权利人	迈瑞迪创新科技有限公司
发明人	洪婉嘉;彼得·科普尼奇;伊凯·安德·奥贾克;保罗·西蒙·庞廷
代理机构	深圳市德锦知识产权代理有限公司	代理人	陈永晔

摘要

在MEMS区中嵌入了微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。MEMS组件，例如是红外(IR)热传感器。所述器件封装有CMOS兼容IR透明封盖，以将MEMS传感器气密密封在MEMS区中。CMOS封盖包括带释放开口的底盖和密封释放开口的密封盖。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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