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具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610310899.6
  • IPC分类号:H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331
  • 申请日期:
    2016-05-11
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法
申请号CN201610310899.6申请日期2016-05-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-09-28公开/公告号CN105977288A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/08
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人张金平;史建东;陈钱;刘永;其他发明人请求不公开姓名
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法。本发明器件的集电极结构通过MOS沟道,利用MOS的体效应降低了势垒高度,为电子创建一个“超势垒”,即此集电极结构势垒MOS比传统的IGBT背部PN结势垒电压低,因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启,且该结构同样存在电导调制效应,减小了IGBT导通时的正向压降;关断时,集电极处于开启状态的MOS沟道加快了发射极附近的过剩载流子的抽取过程,降低了器件的开关损耗;同时,本发明器件的制作并不需要额外工艺步骤,与现有的集成电路制造工艺完全兼容。

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