- C化学;冶金
- C2冶金
- C30晶体生长〔3〕
- C30B单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入B01J 3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D;塑料的加工入B29;改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元件生产的入H01L);其所用的装置〔3〕
- C30B15/00熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法(在保护流体下的入C30B 27/00)〔3〕
- C30B15/20控制或调节(一般的控制或调节入G05)〔3〕
- C30B15/22被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制〔3〕
- C30B15/26使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的〔3〕