半导体器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510065628.0
IPC分类号：--
申请日期：
2005-02-08
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN200510065628.0	申请日期	2005-02-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-31	公开/公告号	CN1661778
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	伊藤贵之;须黑恭一;富家甘奈;大内和也
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	李峥;于静

摘要

以效率高的工序相互结合良好的方式提供具有浅的杂质区域的精细化的半导体器件的制造方法。该方法包括对于p阱层(2)、n阱层(3)进行杂质离子的注入的工序；以及对于p阱层(2)、n阱层(3)照射从上升开始到达峰值能量值的时间大于等于0.3毫秒的脉冲光的工序。此外，该方法包括在小于等于600℃的成膜温度下在形成了栅电极(6)的硅衬底(1)上形成氮化硅膜(10)的工序；对于氮化硅膜(10)边实施辅助加热边照射闪光灯光的工序；以及进行各向异性蚀刻使照射了闪光灯光的氮化硅膜(10)仅残留配置在栅侧壁上的工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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