加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

片式电阻器及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610091865.2
  • IPC分类号:H01C3/00;H01C1/148;H01C1/02
  • 申请日期:
    2016-02-18
  • 申请人:
    罗姆股份有限公司
著录项信息
专利名称片式电阻器及其制造方法
申请号CN201610091865.2申请日期2016-02-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-08-31公开/公告号CN105913986A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01C3/00IPC分类号H;0;1;C;3;/;0;0;;;H;0;1;C;1;/;1;4;8;;;H;0;1;C;1;/;0;2查看分类表>
申请人罗姆股份有限公司申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人罗姆股份有限公司当前权利人罗姆股份有限公司
发明人篠浦高德;今桥涉
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳;李炬
摘要
本发明提供一种片式电阻器及其制造方法,能够抑制成本,并且实现耐硫化性能的提高。片式电阻器(A1)包括:具有搭载面(11)和安装面(12)的基片(1);配置于搭载面(11)的两端的一对上表面电极(31);搭载于一对上表面电极(31)之间的电阻体(2);具有配置于基片(1)的侧面(13)的部分和与搭载面(11)及安装面(12)重叠的部分,并且与上表面电极(31)导通的侧面电极(33);覆盖侧面电极(33)的中间电极(34)和外部电极(35),其中,片式电阻器(A1)具有:具有比上表面电极(31)难以硫化的特性的第一保护层(41),其位于上表面电极(31)与中间电极(34)之间,并且与上表面电极(31)和侧面电极(33)接触地配置;具有导电性的第二保护层(42),其位于第一保护层(41)与中间电极(34)之间,并且与第一保护层(41)、侧面电极(33)和中间电极(34)接触地配置。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供