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用于处理器件的技术

发明专利有效专利

申请号：
CN202110686074.5
IPC分类号：H01L21/18;H01L25/065;H01L21/78;H01L21/683
申请日期：
2019-01-31
申请人：
伊文萨思粘合技术公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于处理器件的技术
申请号	CN202110686074.5	申请日期	2019-01-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113410133A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人	伊文萨思粘合技术公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	伊文萨思粘合技术公司	当前权利人	伊文萨思粘合技术公司
发明人	C·E·尤佐;L·W·米卡里米;G·高;G·G·小方丹
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	辛鸣

摘要

本申请的各实施例涉及用于处理器件的技术。代表性技术提供用于形成微电子组件的过程步骤，包括准备用于结合的微电子部件，诸如管芯、晶圆、衬底等。该微电子部件的一个或多个表面被形成和准备为结合表面。该微电子部件在该准备的结合表面处堆叠并结合而无需粘合剂。

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