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一种减小HDP对有源区损伤的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810035096.X
  • IPC分类号:H01L21/822;H01L21/762
  • 申请日期:
    2008-03-25
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种减小HDP对有源区损伤的方法
申请号CN200810035096.X申请日期2008-03-25
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2009-09-30公开/公告号CN101546730
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/822
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人刘明源
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明提供了一种减小HDP对有源区损伤的方法,有源区分为有源区疏区和有源区密集区,HDP对有源区疏区和有源区密集区中隔离浅槽的填充能力不同,该方法它是在疏区中有源区两侧分别增加保护条,调整相邻保护条距各自被保护有源区的距离,使两相邻保护条间距满足HDP对密集区有源区之间隔离浅槽绝缘物的填充能力。这样可让疏区有源区之间的间距缩短为与密集区有源区间隔相当的保护条的间距,使得HDP对疏区和密集区中有源区填充能力一致,保护疏区中有源区,解决HDP对硅片上疏区中有源区造成损伤的问题。

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