大面积薄型单晶硅的制作技术

发明专利无效专利

申请号：
CN201210518396.X
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2012-12-05
申请人：
林清富

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	大面积薄型单晶硅的制作技术
申请号	CN201210518396.X	申请日期	2012-12-05
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-06-12	公开/公告号	CN103145090A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	林清富	申请人地址	中国台湾台北市罗斯福路四段一号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	林清富	当前权利人	林清富
发明人	林清富;林子敬;许书嘉
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种大面积薄型单晶硅的制作技术，特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术在硅基板或硅晶圆上制作微米结构或纳米结构并脱离硅基板或晶圆的方法。此方法借由金属催化剂沉积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或纳米结构剥离或转移等简单的工艺，形成薄型单晶硅，并将基板表面处理后，使基板进行回收用于重复制作薄型单晶硅，而对基板做充分的利用，达到降低其制作成本的目的与增加应用的范围。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供