具有集成多晶二极管的半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110252414.X
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/331;H01L21/822;H01L29/78;H01L29/739;H01L27/06
申请日期：
2011-08-30
申请人：
英飞凌科技奥地利有限公司

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专利名称	具有集成多晶二极管的半导体器件及其形成方法
申请号	CN201110252414.X	申请日期	2011-08-30
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102386099A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人	英飞凌科技奥地利有限公司	申请人地址	奥地利菲拉赫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技奥地利有限公司	当前权利人	英飞凌科技奥地利有限公司
发明人	F.希尔勒;A.莫德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	曲宝壮;蒋骏

摘要

用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件。提供用于形成场效应功率半导体的方法，该方法包括提供半导体本体、与半导体本体的主表面相邻布置的导电区域以及布置在主水平表面上的绝缘层。穿透绝缘层蚀刻窄沟槽以露出导电区域。沉积多晶半导体层且形成垂直多晶二极管结构。多晶半导体层具有窄沟槽的最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度。至少形成垂直多晶二极管结构的一部分的多晶区域通过无掩膜回蚀多晶半导体层在窄沟槽中形成。而且，提供具有沟槽多晶二极管的半导体器件。

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