一种MEMS集成复合传感器及其加工方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510353840.0
IPC分类号：B81B7/02;B81B7/00;B81B3/00;B81C1/00;G01D21/02
申请日期：
2015-06-24
申请人：
上海芯赫科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS集成复合传感器及其加工方法
申请号	CN201510353840.0	申请日期	2015-06-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-23	公开/公告号	CN105174201A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;3;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;D;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海芯赫科技有限公司	申请人地址	广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑6幢办公501 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东合微集成电路技术有限公司	当前权利人	广东合微集成电路技术有限公司
发明人	周志健;陈磊;邝国华
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	张海英;黄建祥

摘要

本发明公开一种MEMS集成复合传感器，包括作为衬底硅材料的<111>晶向晶圆，所述晶圆的同一侧设置有加速度传感器、压力传感器以及温度传感器；所述加速度传感器具有悬臂梁，以及与所述悬臂梁连接的质量块，所述悬臂梁与所述质量块为一体结构，所述质量块的厚度大于所述悬臂梁的厚度；所述压力传感器具有敏感膜，所述敏感膜的厚度与所述悬臂梁的厚度相同或不同；所述悬臂梁与所述质量块均为所述晶圆的一部分，通过刻蚀加工而成。同时本发明中还公开上述传感器的加工方法，通过该方法加工的传感器同一片晶圆上传感器的性能一致性高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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