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一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010615251.2
  • IPC分类号:C03C15/00
  • 申请日期:
    2010-12-30
  • 申请人:
    上海九晶电子材料股份有限公司
著录项信息
专利名称一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法
申请号CN201010615251.2申请日期2010-12-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-04-20公开/公告号CN102020426A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C15/00IPC分类号C;0;3;C;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人上海九晶电子材料股份有限公司申请人地址
四川省雅安市工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人九晶(雅安)电子材料有限公司,上海九晶电子材料股份有限公司当前权利人九晶(雅安)电子材料有限公司,上海九晶电子材料股份有限公司
发明人汪贺杏
代理机构上海天翔知识产权代理有限公司代理人陈逸良
摘要
本发明公开了一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法,通过氢氟酸浸泡去除石英和表面附着的少量金属离子;再通过混酸清洗,去除硅料表面残留的氟硅酸和氟硅酸盐;然后经纯水浸泡、超声波冲洗掉表面的酸液残留。经本发明处理后的埚底料完全可以达到太阳能级硅单晶原料的要求。

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