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磁记录介质

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010234468.9
  • IPC分类号:G11B5/65
  • 申请日期:
    2010-07-20
  • 申请人:
    株式会社日立制作所;富士电机电子技术株式会社;国立大学法人东北大学
著录项信息
专利名称磁记录介质
申请号CN201010234468.9申请日期2010-07-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-02-02公开/公告号CN101964195A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/65IPC分类号G;1;1;B;5;/;6;5查看分类表>
申请人株式会社日立制作所;富士电机电子技术株式会社;国立大学法人东北大学申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社日立制作所,富士电机株式会社,国立大学法人东北大学当前权利人株式会社日立制作所,富士电机株式会社,国立大学法人东北大学
发明人佐山淳一;根本广明;井手浩;片冈弘康;高桥伸幸;岛津武仁;北上修;冈本聪;青井基
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人钟晶
摘要
本发明提供一种磁记录介质,所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1),所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at%以上55at%以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言,构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场,因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外,就该磁记录介质(1)而言,构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点,因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。

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