光学用基材以及半导体发光元件

发明专利无效专利

申请号：
CN201280039901.0
IPC分类号：H01L33/22;C30B29/38;G03F7/24;H01L21/027
申请日期：
2012-08-30
申请人：
旭化成电子材料株式会社

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著录项信息

专利名称	光学用基材以及半导体发光元件
申请号	CN201280039901.0	申请日期	2012-08-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-23	公开/公告号	CN103748699A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕 H01L33/22 粗糙表面，例如在外延层之间的界面〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;G;0;3;F;7;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	旭化成电子材料株式会社	申请人地址	日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旭化成株式会社	当前权利人	旭化成株式会社
发明人	山口布士人;古池润;前田雅俊
代理机构	上海市华诚律师事务所	代理人	肖华

摘要

提供一种具有通过减少导体层中的错位缺陷数改善内量子效率IQE、并提高LED的发光效率的微细结构体的光学用基材。光学用基材（1）具有微细结构层（12），所述微细结构层（12）包含由从基材（11）主面向面外方向延伸的多个凸部（13）构成的点，微细结构层（12）在基材（11）主面内的第一方向上具有多个点构成以间距Py排列而成的多个点列（13‑1～13‑N），在基材（11）主面内的与第一方向正交的第二方向上具有多个点以间距Px排列而成的多个点列，间距Py以及间距Px中的任意一方为纳米尺度的固定间隔，另一方为纳米尺度的不固定间隔，或者两者均为纳米尺度的不固定间隔。

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