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一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120506109.4
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2011-12-08
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件
申请号CN201120506109.4申请日期2011-12-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道99# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人钱钦松;刘斯扬;万维俊;孙伟锋;陆生礼;时龙兴
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人汤志武
摘要
一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件,包括:N型衬底,在N型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型外延层,在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区,在N型缓冲阱内设有P型阳区,在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区,在N型外延层的表面一定范围内设有栅氧化层和场氧化层,栅氧化层的上表面设有多晶硅栅,器件表面一定范围内还设有钝化层和金属层。其特征在于N型外延层上还设有P型阱区,P型阱区和P型体区构成阶梯状P型掺杂,P型阱区掺杂浓度低于P型体区,且P型阱区的一侧与场氧化层相切,另一侧与P型体区相抵。这种结构可以显著降低鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率,从而有效地改善输出特性。

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