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一种MEMS气体传感器及其加工方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410345483.9
  • IPC分类号:G01N27/14B81B7/00B81C1/00
  • 申请日期:
    2014-07-18
  • 申请人:
    苏州能斯达电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种MEMS气体传感器及其加工方法
申请号CN201410345483.9申请日期2014-07-18
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-11-12公开/公告号CN104142359A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/14IPC分类号G01N27/14;B81B7/00;B81C1/00查看分类表>
申请人苏州能斯达电子科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号C*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州能斯达电子科技有限公司当前权利人苏州能斯达电子科技有限公司
发明人沈方平;祁明锋;刘瑞;丁海燕;谷文
代理机构广州三环专利代理有限公司代理人郝传鑫
摘要
本发明涉及气体检测技术领域,公开了一种MEMS气体传感器及其加工方法,包括单晶硅衬底;多孔硅层,形成于单晶硅衬底的上表面且具有一定深度,多孔硅层的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜,且多孔硅层与所述单晶硅衬底的上表面平齐;下绝缘层,覆盖多孔硅层及所述单晶硅衬底的上表面;以及设置于下绝缘层上方的加热层、上绝缘层及气体敏感层。本发明的多孔硅层可以稳定地支撑下绝缘层薄膜及其上的其他气体传感器元件,避免传感器受力不均匀导致的变形破裂及在高温工作时下绝缘层变形翘曲导致的加热层脱落。同时,所述多孔硅层的孔壁表面覆有二氧化硅薄膜,可以起到更好的保温隔热效果,降低功耗,提高气体传感器的探测灵敏度和使用寿命。

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