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一种SiOC基耐高温高发射涂层及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711409304.3
  • IPC分类号:C04B41/87;C04B35/66
  • 申请日期:
    2017-12-22
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种SiOC基耐高温高发射涂层及其制备方法
申请号CN201711409304.3申请日期2017-12-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-07-02公开/公告号CN109956761A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B41/87IPC分类号C;0;4;B;4;1;/;8;7;;;C;0;4;B;3;5;/;6;6查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人季惠明;苏雅玉;李晓雷;王永超;桑志远
代理机构天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王秀奎
摘要
本发明公开一种SiOC基耐高温高发射涂层及其制备方法,通过含氢硅油与四甲基四乙烯基环四硅氧烷在Pt络合物催化剂的作用下交联形成聚硅氧烷陶瓷前驱体,之后向前驱体中添加PDMS后,混合均匀,获得PSO/PDMS混合物;将PSO/PDMS混合物、SiO2以及MoSi2混合均匀制成涂层料浆,通过刷涂的方法将料浆涂敷在莫来石或氧化锆基体上,在氩气气氛下,在1000℃—1500℃下烧结得到表面光滑平整的涂层。本发明的SiOC基耐高温高发射涂层具有优异的热学与力学性能,具有高的抗热震性能。

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