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一种半透射式TFT阵列基板制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010127162.3
  • IPC分类号:H01L21/84
  • 申请日期:
    2010-03-16
  • 申请人:
    信利半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种半透射式TFT阵列基板制造方法
申请号CN201010127162.3申请日期2010-03-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-08-18公开/公告号CN101807552A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/84
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人信利半导体有限公司申请人地址
广东省汕尾市城区工业大道信利电子工业城 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人信利半导体有限公司当前权利人信利半导体有限公司
发明人任思雨;李建;于春崎;谢凡;胡君文;李林;何基强
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明;王宝筠
摘要
本发明公开了一种半透射式TFT阵列基板制造方法,包括:在玻璃基板上溅射栅极金属层,栅极金属层经过光刻形成栅极图形;在栅极金属层之上连续沉积栅极绝缘层、半导体层,半导体层经光刻形成半导体层图形;在半导体层图形之上溅射源漏极金属层,源漏极金属层经过光刻形成源漏极金属层图形;在源漏极金属层沉积绝缘膜保护层,绝缘膜保护层经过光刻形成绝缘膜保护层图形;溅射透明像素层,透明像素层经过光刻形成像素电极;在透明像素层之上溅射金属反射层以及透射膜层保护层,在经过光刻形成像素金属反射层图形之后,通过蚀刻去掉透射膜层保护层。本发明能够解决在半透射型液晶显示器制程中TFT阵列基板上透射膜层易脱落的问题。

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