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一种单晶PBN坩埚处理工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010713136.2
  • IPC分类号:C30B11/00
  • 申请日期:
    2020-07-22
  • 申请人:
    威科赛乐微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种单晶PBN坩埚处理工艺
申请号CN202010713136.2申请日期2020-07-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-11-06公开/公告号CN111893555A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B11/00IPC分类号C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人威科赛乐微电子股份有限公司申请人地址
重庆市万州区万州经开区高峰园B02 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人威科赛乐微电子股份有限公司当前权利人威科赛乐微电子股份有限公司
发明人肖雨;王建武;沈晏山;刘留;苏小平
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人张晨
摘要
本发明公开了一种单晶PBN坩埚处理工艺,涉及半导体材料制备技术领域。本发明的一种单晶PBN坩埚处理工艺,所述处理工艺在坩埚投料和充氧烘烤之间还进行了一次清洗、预烘烤、二次清洗步骤,在所述预烘烤和二次清洗步骤之间还包括醇处理步骤,所述醇处理步骤具体为:常温下,将烘烤后的坩埚于无水甲醇中浸泡8‑16h,其中一次清洗和二次清洗的操作流程相同,均包括酸洗、碱洗、超声振洗。本发明公开了一种单晶PBN坩埚处理工艺,能够更好的去除PBN坩埚表面的杂质,提高其表面平整度,从而提高了PBN坩埚的脱模效率以及使用周期,提高了单晶成品率,降低了生产成本。

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