一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010191134.8
IPC分类号：H01L23/525;H01L21/768
申请日期：
2010-06-04
申请人：
无锡中微晶园电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法
申请号	CN201010191134.8	申请日期	2010-06-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-11-17	公开/公告号	CN101887883A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/525 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/525 具有可适用互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	无锡中微晶园电子有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡中微晶园电子有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所	当前权利人	无锡中微晶园电子有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人	洪根深;肖志强;陈海峰
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	曹祖良

摘要

本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法，其包括衬底及位于衬底上的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层上设有金属互连层、反熔丝下极板及氧化层；所述氧化层包覆金属互连层与反熔丝下极板，所述反熔丝下极板与金属互连层间利用氧化层相隔离；所述金属互连层上设有连接孔，所述连接孔从氧化层的表面延伸到金属互连层，连接孔内填充有金属电极；反熔丝下极板上设有反熔丝孔，所述反熔丝孔从氧化层的表面延伸到反熔丝孔；所述反熔丝孔内依次填充有高阻介质层、反熔丝上极板及金属电极；所述金属电极与反熔丝上极板、金属互连层均电性连接。本发明工艺操作简单、可靠性高、兼容性好、抗辐射能力强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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