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用于气敏传感器的贵金属负载氧化钨纳米线的合成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610953128.9
  • IPC分类号:B82B1/00;B82B3/00;G01N27/00
  • 申请日期:
    2016-11-03
  • 申请人:
    中国检验检疫科学研究院
著录项信息
专利名称用于气敏传感器的贵金属负载氧化钨纳米线的合成方法
申请号CN201610953128.9申请日期2016-11-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-02-22公开/公告号CN106430087A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B82B1/00IPC分类号B;8;2;B;1;/;0;0;;;B;8;2;B;3;/;0;0;;;G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人中国检验检疫科学研究院申请人地址
北京市亦庄经济开发区荣华南路11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国检验检疫科学研究院当前权利人中国检验检疫科学研究院
发明人席广成;钟坚海;白桦
代理机构北京中海智圣知识产权代理有限公司代理人胡静
摘要
本发明公开了一种用于气敏传感器的贵金属负载氧化钨纳米线的合成方法,包括以下步骤:称取若干富含氧缺陷的氧化钨纳米线,超声分散至去离子水中,搅拌均匀形成蓝色悬浊液;量取若干贵金属盐溶液并分成两份,分两次边搅拌边向蓝色悬浊液中加入贵金属盐溶液;将混合物转入离心管,离心得到上层液体和底部的固体,弃去上层液体,保留底部的固体;清洗固体;清洗后的固体经干燥得到最终产物。本发明利用富含氧缺陷的氧化钨自身的还原性,在其表面直接还原负载贵金属,使得材料具有极佳的纯度无需任何后处理过程进行纯化,从而使得本发明成为一个室温水相反应过程,具有安全性高、可操作性强、易推广的特点。

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