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一种防止铝电极迁移的LED芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020346488.4
  • IPC分类号:H01L33/40;H01L33/44
  • 申请日期:
    2020-03-18
  • 申请人:
    佛山市国星半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称一种防止铝电极迁移的LED芯片
申请号CN202020346488.4申请日期2020-03-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/40IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4查看分类表>
申请人佛山市国星半导体技术有限公司申请人地址
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佛山市国星半导体技术有限公司当前权利人佛山市国星半导体技术有限公司
发明人仇美懿;庄家铭
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人胡枫;李素兰
摘要
本实用新型公开了一种防止铝电极迁移的LED芯片,包括发光结构、设于发光结构上的电极结构、以及防迁移结构,所述电极结构包括第一电极和第二电极,所述第一电极包括Cr层和Al层,所述Cr层设于发光结构上,所述Al层设于Cr层上,所述防迁移结构为单层结构或至少三层的单数叠层结构。本实用新型在第一电极的Cr层和Al层之间设置防迁移结构,有效防止Al层中的金属迁移到发光结构上。

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