测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200910133203.7
IPC分类号：H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/66;G01R31/28
申请日期：
2009-03-26
申请人：
万国半导体股份有限公司

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专利名称	测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构
申请号	CN200910133203.7	申请日期	2009-03-26
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-14	公开/公告号	CN101556955
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;R;3;1;/;2;8查看分类表>
申请人	万国半导体股份有限公司	申请人地址	重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆万国半导体科技有限公司	当前权利人	重庆万国半导体科技有限公司
发明人	何佩天;李铁生;李一宽
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	张静洁;王敏杰

摘要

本发明提供一种测量晶片上沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构。该沟槽MOSFET阵列具有第一传导型的共漏层，且二维-沟槽MOSFET阵列位于该共漏层的顶部。该二维-沟槽MOSFET阵列具有源级-体区圆柱和栅极沟槽圆柱相互交错设置形成的阵列。每一源级-体区圆柱都有一第二传导型的底部体区，该底部体区上具有向上延伸的指状引脚结构。每一源级-体区圆柱还有第一传导型的顶部源级区域，从而桥接指状引脚结构。本发明的结构包含：a)一个源级-体区圆柱，底部体区上的每一指状引脚结构都具有成形的顶部触点电极；b)分别位于所述源级-体区圆柱的两侧的包含成形的共栅极触点电极的两个绝缘栅极沟槽圆柱。将上述结构连接到外部电压/电流测量器件，测得电阻RP。

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