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半导体装置及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610398878.4
  • IPC分类号:H01L23/49;H01L21/48
  • 申请日期:
    2016-06-07
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及半导体装置的制造方法
申请号CN201610398878.4申请日期2016-06-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-01-11公开/公告号CN106328622A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/49IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人征矢野伸
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人胡曼;韩俊
摘要
一种半导体装置及半导体装置的制造方法,能使配线连接简化。在半导体装置(100)中,将印刷基板(119a、119b)设置在壳体(110)的对层叠基板(140)进行收纳的收纳部(112a、112b、112c)的周缘部。在印刷基板(119、119b)上设置用于将输出控制信号的控制端子(121、131)保持于印刷基板(119a、119b)的端子块(120、130),通过线材(148)将半导体芯片的门电极与印刷基板(119a、119b)电连接。

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