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具有双重激发子阻挡层的磷光OLED

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200880021085.4
  • IPC分类号:H01L51/50
  • 申请日期:
    2008-06-03
  • 申请人:
    伊斯曼柯达公司
著录项信息
专利名称具有双重激发子阻挡层的磷光OLED
申请号CN200880021085.4申请日期2008-06-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-03-24公开/公告号CN101679858
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/50IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人伊斯曼柯达公司申请人地址
美国特拉华州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人全球OLED科技有限责任公司当前权利人全球OLED科技有限责任公司
发明人廖良生;任小凡;C·A·派洛;谭元昇
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人丁香兰
摘要
一种有机发光器件,包含阳极;阴极;布置在阳极和阴极之间的空穴传输层;布置在空穴传输层和阴极之间的磷光发射层,其中该磷光发射层包括至少一种主体和至少一种磷光掺杂剂;布置在空穴传输层和磷光发射层之间的第一激发子阻挡层,其中该第一激发子阻挡层的三重态能量大于磷光发射层中的主体的三重态能量;和布置在第一激发子阻挡层和磷光发射层之间的第二激发子阻挡层,其中该第二激发子阻挡层与磷光发射层接触,并且其中该第二激发子阻挡层的三重态能量低于第一激发子阻挡层的三重态能量。

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