可控硅器件的平面终端钝化结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020123884.7
IPC分类号：H01L23/29;H01L21/316
申请日期：
2010-03-04
申请人：
江阴新顺微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	可控硅器件的平面终端钝化结构
申请号	CN201020123884.7	申请日期	2010-03-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6查看分类表>
申请人	江阴新顺微电子有限公司	申请人地址	江苏省江阴市滨江中路275号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江阴新顺微电子有限公司	当前权利人	江阴新顺微电子有限公司
发明人	王新潮;冯东明;高善明;李建立
代理机构	江阴市同盛专利事务所	代理人	唐纫兰

摘要

本实用新型一种可控硅器件的平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅。本实用新型的钝化结构能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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