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氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02811802.2
  • IPC分类号:H01L33/00;H01S5/343;H01L21/205
  • 申请日期:
    2002-06-13
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件
申请号CN02811802.2申请日期2002-06-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-07-21公开/公告号CN1515036
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人川口靖利;石桥明彦;辻村步;大信之
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上,形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上,形成相对C面倾斜的小面,选择生长层(13)从该倾斜的小面,沿横向生长。其结果是,可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型AlGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配,比如,通过晶体生长,获得没有裂缝的发生的激光器结构。

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