射频LDMOS器件及工艺方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310559718.X
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
申请日期：
2013-11-12
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	射频LDMOS器件及工艺方法
申请号	CN201310559718.X	申请日期	2013-11-12
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-05-20	公开/公告号	CN104638001A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	慈朋亮;石晶;胡君;李娟娟;钱文生;刘冬华
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及N型轻掺杂漂移区，其N型漂移区上方为单层沟槽型的法拉第环，该单层沟槽型的法拉第环具有与传统的双层法拉第环结构同等的电场调制效果，可以达到很高的击穿电压。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法，包含多晶硅栅极形成、沟槽刻蚀、漂移区注入、体区及源漏区形成、氧化层淀积以及法拉第环形成等步骤，单层法拉第环减少了一次金属层的淀积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供