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双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410112197.8
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2014-03-25
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法
申请号CN201410112197.8申请日期2014-03-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-07-02公开/公告号CN103904161A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人苏艳梅;种明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法,包括:在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层;制作正面光栅,并制作上电极;刻蚀,形成隔离槽和上台面;刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁,形成中台面,刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁,形成下台面;制作中间电极,制作下电极,形成基片;生长一层钝化层;生长引出金属层,把中间电极、下电极和上电极引出到上台面;生长二次钝化层,在二次钝化层上腐蚀出引线孔,并在引线孔中生长加厚金属,形成样片;把样片分割成面阵的管芯,并与读出电路进行互连;在衬底的背面制作背面光栅。本发明在每个像元都能同时引出两个波段红外信号的结构中,使得两个波段都有高的光栅耦合效率,提高器件的性能。

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