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非易失性存储器元件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110107959.1
  • IPC分类号:H01L29/788;H01L29/423
  • 申请日期:
    2011-04-28
  • 申请人:
    力晶科技股份有限公司
著录项信息
专利名称非易失性存储器元件及其制造方法
申请号CN201110107959.1申请日期2011-04-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-10-24公开/公告号CN102751334A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/788
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人力晶科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人力晶积成电子制造股份有限公司当前权利人力晶积成电子制造股份有限公司
发明人许正源;黎俊霄
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云
摘要
本发明公开一种非易失性存储器元件及其制造方法,该存储器元件包括基底、栅极堆叠结构、选择栅、擦除栅、源极区、漏极区、第一介电层与第二介电层。位于基底上的栅极堆叠结构,该栅极堆叠结构由下而上包括隧穿介电层、浮置栅、栅间介电层与控制栅,以及间隙壁,位于控制栅以及栅间介电层的侧壁且浮置栅与擦除栅相邻的一侧为具有尖角的包覆轮廓,凸出于间隙壁的纵表面。选择栅与擦除栅分别位于栅极堆叠结构的第一侧与第二侧的基底上。源极区位于擦除栅下方的基底中。漏极区位于选择栅的一侧的基底中。第一介电层位于栅极堆叠结构与擦除栅之间以及栅极堆叠结构与源极区之间。第二介电层位于选择栅与基底之间。

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