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半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610163787.9
  • IPC分类号:H01L21/84;H01L27/12;H01L27/28
  • 申请日期:
    2006-12-04
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体装置的制造方法
申请号CN200610163787.9申请日期2006-12-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-06-06公开/公告号CN1976011
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/84
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;2;8查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县厚木市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人山田大干
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人浦柏明;王勇
摘要
本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层;将剥离层和无机绝缘层剥离或者将衬底和无机绝缘层剥离;将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉来至少使无机绝缘层分离得成为多个部分,并在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多;以及将有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。

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