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垂直金属-氧化物-半导体晶体管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01111691.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2001-03-22
  • 申请人:
    精工电子有限公司
著录项信息
专利名称垂直金属-氧化物-半导体晶体管
申请号CN01111691.9申请日期2001-03-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2001-09-26公开/公告号CN1314714
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人精工电子有限公司申请人地址
日本千叶县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人艾普凌科有限公司当前权利人艾普凌科有限公司
发明人原田博文;小山内润
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人吴增勇;傅康
摘要
提供一种垂直MOS晶体管及其制造方法。当栅极电压加到栅电极时,沿着沟槽的p-外延生长层内部形成沟道,使电子流从n+漏层流向p-外延生长层。栅极和漏层之间隔着栅极氧化膜相互交叠的面积较先有技术的小,由此使反馈电容变小,使高频特性得以改善。此外,由于栅极氧化膜中处于沟槽底部的部分较处于沟槽侧壁的部分厚,因而栅极与n+半导体基片的距离较先有技术的大,导致栅极与n+半导体基片的电容较先有技术的小,其高频特性就得以改善。

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