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耐电晕聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811179482.6
  • IPC分类号:C08J7/04;C08L79/08
  • 申请日期:
    2018-10-10
  • 申请人:
    中天电子材料有限公司
著录项信息
专利名称耐电晕聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法
申请号CN201811179482.6申请日期2018-10-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-02-01公开/公告号CN109293966A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08J7/04IPC分类号C;0;8;J;7;/;0;4;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8查看分类表>
申请人中天电子材料有限公司申请人地址
江苏省南通市经济技术开发区3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中天电子材料有限公司当前权利人中天电子材料有限公司
发明人刘贺;孙科;陈然;曾彩萍;金鹰
代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司代理人苏广秀;徐丽
摘要
本发明提供一种耐电晕聚酰亚胺复合薄膜,包括基础层、中间层及覆盖层,所述中间层覆盖在所述基础层的上下表面,所述覆盖层覆盖在所述中间层远离所述基础层的一面或两面,所述基础层为聚酰亚胺薄膜层,所述中间层为聚全氟乙丙烯涂层,所述覆盖层为含有混合氟树脂和无机填料的薄膜层。本发明提供的耐电晕聚酰亚胺复合薄膜,不仅具备普通氟树脂的各项优良性能,而且耐电晕性能更加突出,可以耐受更高的使用温度,耐电晕寿命更长。

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