- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G 9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类)〔2〕
- H01L29/00专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L 31/00至H01L 47/00,H01L 51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00)〔2,6〕
- H01L29/66按半导体器件的类型区分的〔2〕
- H01L29/68只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L 29/96优先)〔2〕
- H01L29/76单极器件〔2〕
- H01L29/772场效应晶体管〔6〕
- H01L29/775带有一维载流子气沟道的,如量子线FET〔6〕