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具有局部氧化物的全包围栅极装置架构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780052347.2
  • IPC分类号:H01L29/775;H01L29/10;H01L29/06;B82Y10/00;H01L29/423
  • 申请日期:
    2017-09-19
  • 申请人:
    超威半导体公司
著录项信息
专利名称具有局部氧化物的全包围栅极装置架构
申请号CN201780052347.2申请日期2017-09-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-21公开/公告号CN109791947A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/775
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;5;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人超威半导体公司申请人地址
美国圣克拉拉 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人超威半导体公司当前权利人超威半导体公司
发明人理查德·T·舒尔茨
代理机构上海胜康律师事务所代理人李献忠;张静
摘要
描述了用于制造非平面装置同时管理短沟道和热效应的装置和方法。一种半导体装置制造工艺包括形成非平面装置,其中所述装置(610)的主体与硅衬底(105)绝缘,但源极和漏极区域不与所述硅衬底绝缘。所述工艺建立局部绝缘体上硅(SOI),而不使所述源极和漏极区域周围的区域与所述硅衬底绝缘。蚀刻沟槽,所述沟槽的长度至少是所述装置的沟道长度,同时以源极区域的位置和漏极区域的位置为界。所述沟槽填充相对厚层(110,205,305)以形成所述局部SOI。当栅极的纳米线(610)驻留在填充有层的沟槽的顶部上时,向顶部层中蚀刻第二沟槽,以将栅极金属(1105)沉积在所述第二沟槽中。

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