形成喷墨头电阻层的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN97121345.3
IPC分类号：--
申请日期：
1997-10-21
申请人：
研能科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	形成喷墨头电阻层的方法
申请号	CN97121345.3	申请日期	1997-10-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1999-04-28	公开/公告号	CN1214995
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	研能科技股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学园区研发二路28号1F 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	研能科技股份有限公司	当前权利人	研能科技股份有限公司
发明人	莫自治;张一熙;周沁怡;曾国佑;张英伦;郑香京;蔡宏骏
代理机构	上海专利商标事务所	代理人	张恒康

摘要

一种形成喷墨头电阻层的方法，系于选定的基板上，以热氧化法(Thermal Oxidation)形成一介电层，再于该介电层上溅镀(Sputtering)一电阻层，再对该电阻层施行一掺杂驱入(dopping drivg-ig)程序，以使该电阻层经掺杂而形成掺杂电阻层，使形成该喷墨头电阻层，如此将可以避免电子迁移现象(Electron Migration)发生，而得到特性较佳的喷墨头结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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