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一种太赫兹自旋发射器及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110312727.3
  • IPC分类号:G02B5/00;G02B1/00;H01S1/02
  • 申请日期:
    2021-03-24
  • 申请人:
    北京航空航天大学
著录项信息
专利名称一种太赫兹自旋发射器及制备方法
申请号CN202110312727.3申请日期2021-03-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-09公开/公告号CN113093318A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/00IPC分类号G;0;2;B;5;/;0;0;;;G;0;2;B;1;/;0;0;;;H;0;1;S;1;/;0;2查看分类表>
申请人北京航空航天大学申请人地址
北京市海淀区学院路37号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京航空航天大学当前权利人北京航空航天大学
发明人吴晓君;刘少杰;郭丰玮;李培炎
代理机构北京航智知识产权代理事务所(普通合伙)代理人黄川;史继颖
摘要
本发明属于太赫兹发射领域,特别涉及一种太赫兹自旋发射器及制备方法。所述发射器包括激光发射器和太赫兹自旋发射件,所述太赫兹自旋发射件包括衬底、制备在所述衬底上的纳米异质结以及覆盖在所述纳米异质结表面的金纳米材料;所述激光发射器发射的激光的波长与所述金纳米材料的共振峰相等。所述制备方法包括使用移液枪吸取水溶性金纳米材料溶液,滴加在所述纳米异质结表面上;等待水溶液自然蒸发后,制备得到所述太赫兹自旋发射件。本发明在不改变太赫兹时域光谱测量系统任何参数的情况下,进一步提升了自旋发射材料辐射太赫兹波的效率,提升效率可以达到5%~140%。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供