有沟槽隔离的半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200410042296.X
IPC分类号：--
申请日期：
2004-04-29
申请人：
株式会社瑞萨科技

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法律信息

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著录项信息

专利名称	有沟槽隔离的半导体装置
申请号	CN200410042296.X	申请日期	2004-04-29
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-02-02	公开/公告号	CN1574276
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社瑞萨科技	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社瑞萨科技	当前权利人	株式会社瑞萨科技
发明人	杉原刚
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

本发明的有沟槽隔离的半导体装置中设有：在半导体衬底(1)的表面上形成的沟(2)，以及填埋于该沟(2)内且整个上面位于半导体衬底(1)的表面上方的埋入绝缘层(3)。埋入绝缘层(3)的从半导体衬底(1)的表面突出的部分有在半导体衬底(1)的主表面上从沟(2)的正上方区域向外侧凸出的外伸部，该外伸部具有至少层叠两层绝缘层(3b2、3c)的结构。从而实现能够抑制逆向窄沟道效应，且能得到高可靠性的栅绝缘层的有沟槽隔离的半导体装置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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