具有纳米级二氧化硅光栅钝化层的GaN基发光二极管及其加工方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810253009.1
IPC分类号：H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00
申请日期：
2018-03-26
申请人：
武汉大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有纳米级二氧化硅光栅钝化层的GaN基发光二极管及其加工方法
申请号	CN201810253009.1	申请日期	2018-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-28	公开/公告号	CN108461593A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	周圣军;赵杰
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	马丽娜

摘要

本发明公开了一种具有纳米级SiO2光栅钝化层的GaN基发光二极管及其加工方法，包括衬底和外延层，外延层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、In0.16Ga0.84N多量子阱层、p‑AlGaN/GaN电子阻挡层和p型GaN层，刻蚀部分外延层至n型GaN层，外延层未刻蚀部分形成梳齿型凸起结构，刻蚀部分形成与之匹配的梳齿型凹槽结构；在p型GaN层上设置ITO层、SiO2钝化层和P电极，在刻蚀暴露出的n型GaN层上设置N电极，N电极与n型GaN层之间沉积有SiO2钝化层，凸起结构侧壁上沉积有SiO2钝化层；其中，ITO层和SiO2钝化层具有沿P电极或N电极的形状均匀分布的图形化通孔结构。本发明一方面对发光二极管表面进行保护，并限制漏电流的产生，同时对电流进行扩展，减小电流集聚，提高了出光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供