一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710039788.7
IPC分类号：H01L21/00H01L21/306
申请日期：
2007-04-20
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法
申请号	CN200710039788.7	申请日期	2007-04-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-22	公开/公告号	CN101290865
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H01L21/00;H01L21/306查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市张江路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	徐艳博;刘瑛;王宏玲
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

本发明提供了一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法，涉及晶圆的刻蚀工艺。现有的刻蚀制程中，由于反应腔侧壁上聚合物淀积不够紧密，容易出现淀积物脱落，造成晶圆表面缺陷的问题。本发明的方法主要用于解决刻蚀制程中的表面缺陷问题，该刻蚀制程包括在反应腔中分别执行步骤一和步骤二；执行步骤一时，会在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积；执行步骤二时，会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积，所述方法在同一反应腔内运行数批不同的晶圆时，每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前，都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。本发明的方法通过合理安排晶圆在反应腔内的运行顺序，可有效改善反应腔侧壁的聚合物淀积程度，防止表面缺陷的产生。

喷附仪

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一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法

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