在多晶硅上具有平滑界面的集成电路

发明专利无效专利

申请号：
CN87102505.1
IPC分类号：--
申请日期：
1987-03-31
申请人：
得克萨斯仪器公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
申请号	CN87102505.1	申请日期	1987-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	得克萨斯仪器公司	申请人地址	美国得克萨斯75265达拉斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	得克萨斯仪器公司	当前权利人	得克萨斯仪器公司
发明人	凯利帕特纳姆;维维克·罗
代理机构	上海专利事务所	代理人	景星光

摘要

一种得到非常平滑的多晶硅1层/层间绝缘层/多晶硅2层的界面。本质上，多晶硅1层18是无定形相的LPCVD的沉积层和用注入掺杂的。这以后沉积一种适当的绝缘层20，接着多晶硅1层18在约1000℃温度下重结晶。然后，用LPCVD沉积多晶硅2层和在950℃温度下掺入POCl3，得到的多晶硅2/层间绝缘层/多晶硅1界面是一种原子范围的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的热循环以后也是如此，并且相信将导至优良的漏泄特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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