一种降低MOS电容的结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110868116.7
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
申请日期：
2021-07-30
申请人：
青岛佳恩半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种降低MOS电容的结构及其制造方法
申请号	CN202110868116.7	申请日期	2021-07-30
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-19	公开/公告号	CN113675076A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	青岛佳恩半导体科技有限公司	申请人地址	山东省青岛市高新区宝源路780号41号楼103、104 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛佳恩半导体科技有限公司	当前权利人	青岛佳恩半导体科技有限公司
发明人	王新强;王丕龙;张永利;赵旺;杨玉珍
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹

摘要

本发明提供了一种降低MOS电容的结构及其制造方法，属于半导体器件的制造技术领域，该一种降低MOS电容的制造方法包括步骤S1，提供一半导体衬底，利用外延生长法在所述半导体衬底的上表面形成一外延层；步骤S2，对所述外延层的上表面有源区进行选择性刻蚀至预定深度以形成第一掺杂沟槽；步骤S3，通过离子注入法向所述第一掺杂沟槽注入P型杂质和N型杂质后以形成P型体区和N型有源区；步骤S4，在所述外延层的上表面且处于两个所述N型有源区之间进行选择性刻蚀至预定深度以形成第二掺杂沟槽；本发明通过工艺处理栅极氧化层后使其更圆滑，并增加其厚度后不容易造成电场集中从而进一步地优化电场并提高器件的耐压性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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