光掩膜

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920035956.3
IPC分类号：G03F1/42;G03F9/00
申请日期：
2019-01-08
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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著录项信息

专利名称	光掩膜
申请号	CN201920035956.3	申请日期	2019-01-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/38 具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备〔2012.01〕 G03F1/42 校准或对齐特征，例如掩膜基板上的校准标记〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;4;2;;;G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司	代理人	袁礼君;阚梓瑄

摘要

本实用新型提供一种光掩膜，所述光掩膜包括：斜向单元掩膜图案和斜向叠对掩膜标记，所述斜向单元掩膜图案和所述斜向叠对掩膜标记具有相同的斜向方向。采用所述光掩膜将所述斜向单元掩膜图案和所述斜向叠对掩膜标记刻录到半导体衬底上，在所述半导体衬底上形成斜向单元图案和斜向叠对标记。采用光学方法量测所述半导体衬底上当前层的所述斜向叠对标记相对于先前层的所述斜向叠对标记的叠对偏移量；以及根据所述叠对偏移量将所述当前层与所述先前层对准。根据本实用新型的光掩膜及光刻光学式叠对标记测量方法，能够对应测量半导体衬底中斜向单元图案的叠对偏移量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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